直線式勞埃透鏡鍍制機(jī)，是為高能同步輻射光源（HEPS）研發(fā)的高端儀器裝備，用于制備硬X射線納米聚焦的勞埃透鏡膜層。最主要的特點(diǎn)是膜層層數(shù)多（數(shù)千層甚至更多）且膜層位置和厚度精度高（總位置平均誤差小于±5nm，每層的厚度誤差小于0.1nm）。為了保證每個(gè)膜層的厚度精度，采用磁控濺射技術(shù)來實(shí)現(xiàn)膜片的制備，其優(yōu)點(diǎn)是，能夠精確控制膜層厚度，重復(fù)性好，薄膜與基片結(jié)合緊密，薄膜純度高、致密性好。

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　　直線式勞埃透鏡鍍制機(jī)，是為高能同步輻射光源（HEPS）研發(fā)的高端儀器裝備，用于制備硬X射線納米聚焦的勞埃透鏡膜層。最主要的特點(diǎn)是膜層層數(shù)多（數(shù)千層甚至更多）且膜層位置和厚度精度高（總位置平均誤差小于±5nm，每層的厚度誤差小于0.1nm）。為了保證每個(gè)膜層的厚度精度，采用磁控濺射技術(shù)來實(shí)現(xiàn)膜片的制備，其優(yōu)點(diǎn)是，能夠精確控制膜層厚度，重復(fù)性好，薄膜與基片結(jié)合緊密，薄膜純度高、致密性好。

　　性能參數(shù)：

　　進(jìn)樣室

　　本底極限真空度<8×10-5Pa

　　腔室漏率<1×10-7Pa.L/s

　　基板加熱最高溫度≥500℃

　　沉積室

　　極限真空度：<8×10-6Pa

　　腔室漏率<1×10-8Pa.L/s

　　靶位個(gè)數(shù)≥9個(gè)

　　靶與樣品間距離60~100mm手動(dòng)可調(diào)

　　單個(gè)電源可切換的靶位個(gè)數(shù)≥4個(gè)

　　基板加熱最高溫度≥200℃